π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音优点
东京—东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计,与现有的π-MOS VII系列相比,其EMI噪声峰值低5dB[1],同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度,因此有助于减小设计工作量。此外,π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流,可轻松取代现有的MOSFET。东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件,以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。应用场合笔记本电脑AC适配器和游戏机充电器的中小型开关电源照明电源特点兼具高效率和低噪音优点额定雪崩电流和额定直流电流相等主要规格
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